بستر سیلیکون نیترید توسط UNIPRETEC از سرامیک Si3N4 ساخته شده است. به منظور کاهش آلودگی محیط زیست و ایجاد اقتصاد سبز ، استفاده کارآمد از انرژی الکتریکی اهمیت و اهمیت بیشتری پیدا کرده است ، که همچنین الزامات بیشتری را برای بسترهای اتلاف گرما در دستگاه های الکترونیکی ایجاد می کند. معایب بسترهای سرامیکی سنتی مانند AlN ، Al2O3 و BeO که به طور فزاینده ای برجسته هستند ، مانند هدایت حرارتی نظری پایین و خواص مکانیکی ضعیف ، به طور جدی مانع توسعه آن شده است. در مقایسه با مواد زیرلایه ای سرامیک سنتی ، سرامیک نیترید سیلیکون به دلیل هدایت حرارتی نظری عالی و خواص مکانیکی خوب ، به تدریج به گزینه جدید پیشرفته اتلاف گرما برای دستگاه های الکترونیکی تبدیل شده است.

با این حال ، هدایت حرارتی واقعی صفحه Si3N4 بسیار کمتر از هدایت حرارتی نظری است ، و برخی از لایه های سرامیکی نیترید سیلیکون با هدایت حرارتی بالا (GG gt ؛ 150 W / m · K) هنوز در مرحله آزمایشگاه هستند. عواملی که بر هدایت حرارتی سرامیک های نیترید سیلیکون تأثیر می گذارد عبارتند از اکسیژن شبکه ، فاز بلوری و مرز دانه ها. علاوه بر این ، تغییر شکل نوع کریستال و جهت گیری محور کریستال نیز می تواند تا حدودی بر هدایت حرارتی نیترید سیلیکون تأثیر بگذارد. چگونگی دستیابی به تولید انبوه بستر سرامیکی Si3N4 نیز یک مشکل بزرگ است.

برگه اطلاعات فنی

مورد	واحد	CS-Si3N4
تراکم	گرم در سانتی متر³	GG gt؛ 3.2
رنگ	-	خاکستری
جذب آب	%	0
صفحه جنگ	-	GG lt ؛ 2
زبری سطح (Ra)	هوم	0.2 - 0.6
استحکام خمشی	Mpa	GG gt؛ 800
هدایت حرارتی (25 ℃)	W/m.K	GG gt؛ 85
ضریب انبساط حرارتی 25 300 - 300	10^-6میلی متر / ℃	2.7
ضریب انبساط حرارتی 300 800 - 800	10^-6میلی متر / ℃	3.2
حداکثر دمای کار	℃	GG lt ؛ 1200
قدرت دی الکتریک	KV /	GG gt ؛ 15
ثابت دی الکتریک	1 مگاهرتز	8-10
مقاومت الکتریکی (25 ℃)	Ω · سانتی متر	GG gt؛ 10¹⁴

above داده های فوق فقط برای مرجع و مقایسه ارائه شده است ، داده های دقیق بسته به روش ساخت و پیکربندی قطعه متفاوت خواهند بود.

به منظور حل این مشکلات ، UNIPRETEC متعهد به بهینه سازی مداوم فرآیندهای آماده سازی مربوطه است و هدایت حرارتی واقعی صفحه نیترید سیلیکون نیز به طور مداوم در حال بهبود است. به منظور کاهش میزان اکسیژن شبکه ، ابتدا مقدار اکسیژن را در انتخاب مواد اولیه کاهش دهید. از یک طرف ، پودر Si با محتوای اکسیژن نسبتاً کم می تواند به عنوان ماده اولیه استفاده شود. ثالثاً ، انتخاب کمکهای مناسب پخت نیز می تواند با کاهش میزان اکسیژن رسانایی گرمایی را افزایش دهد. علاوه بر این ، با افزودن بلورهای بذر و افزایش درجه حرارت پخت برای تقویت تغییر شکل فرم بلوری ، و با اعمال یک میدان مغناطیسی برای رشد دانه ها جهت دار ، می توان رسانایی گرمایی را تا حدی بهبود داد. به منظور تأمین نیازهای اندازه دستگاههای الکترونیکی ، UNIPRETEC از یک فرآیند ریخته گری نوار برای تهیه ورق سیلیکون نیترید ، ویفر ، بستر استفاده می کند.

تگ های محبوب: بستر نیترید سیلیکون ، چین ، تامین کنندگان ، تولید کنندگان ، کارخانه

محصولات

بستر نیترید سیلیکون